Просмотр публикации #1654


Редактор : Некрылова И. М.

Дата создания: 2016-10-10 10:01:46
Дата модификации: 2017-06-27 00:02:16

Наименование :

Авторы :
Фамилия
Имя
Отчество
Вклад

Выходные данные :
Sysun, V. I. Modeling of diffusion mechanism of conductive channel oxidation in a Pt/NiO/Pt memory switching structure [Text] / V. I. Sysun, I. V. Bute, P. P. Boriskov // Solid-State Electronics. – 2016. – V. 123. – P. 78–83.

Атрибуты библиографической записи

Объект библиографического описания


Язык :
Форма работы :
Категория работы :
Вид публикации для ИАИС :
Общее обозначение материала :
Наименование издания :
Год издания :
Номер издания :
Местоположение (номера страниц) :
Количество страниц (объём) :
Примечание к форме 16 :

Значимость публикации: прочие системы цитирования :
Значимость публикации: цит. Scopus :



Статус : Проверена

PetrSU | DIMS&PhE | Contact Us | © 2008 Lab127 Team