Просмотр публикации #1592


Редактор : Некрылова И. М.

Дата создания: 2015-11-24 15:47:56
Дата модификации: 2016-11-15 22:42:15

Наименование :

Авторы :
Фамилия
Имя
Отчество
Вклад

Выходные данные :
Cheremisin, A. B. Effect of indium low doping in ZnO based TFTs on electrical parameters and bias stress stability [Text] / A. B. Cheremisin, S. N. Kuznetsov, G. B. Stefanovich // AIP Advances. – 2015. – Vol. 5, Issue 11, (117124). – 8 p.

Атрибуты библиографической записи

Объект библиографического описания


Язык :
Форма работы :
Категория работы :
Вид публикации для ИАИС :
Общее обозначение материала :
Наименование издания :
Год издания :
Номер издания :
Местоположение (номера страниц) :
Количество страниц (объём) :
Примечание к форме 16 :



Статус : Проверена

PetrSU | DIMS&PhE | Contact Us | © 2008 Lab127 Team