Просмотр публикации #1557


Редактор : Некрылова И. М.

Дата создания: 2015-05-19 14:41:17
Дата модификации: 2017-06-27 00:09:48

Наименование :

Авторы :
Фамилия
Имя
Отчество
Вклад

Выходные данные :
Velichko, A. A. Effect of memory electrical switching in metal/vanadium oxide/silicon structures with VO2 films obtained by the sol–gel method [Text] / A. A. Velichko, A. L. Pergament, V. V. Putrolainen, O. Y. Berezina, G. B. Stefanovich // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2015. – V. 29. – Р. 315–320.

Атрибуты библиографической записи

Объект библиографического описания


Язык :
Форма работы :
Категория работы :
Вид публикации для ИАИС :
Общее обозначение материала :
Наименование издания :
Год издания :
Номер издания :
Местоположение (номера страниц) :
Количество страниц (объём) :
Примечание к форме 16 :



Статус : Проверена

PetrSU | DIMS&PhE | Contact Us | © 2008 Lab127 Team